在半导体领域，5nm工艺之后，工艺是什么?按照现在的时间线，应该是4nm，然后明年量产3nm。4nm是5nm的进一步改进，优点是性能和功耗不断优化，在设计相互兼容的同时，客户可以以几乎相同的成本获得新工艺。
而3nm是5nm升级的真正迭代，目前台积电和三星都在为先进制程做准备。6月底，三星宣布其3nm工艺技术正式流片，采用GAA架构(Gate-All-Around)，号称性能优于台积电的3nm FinFET架构。
此外，GAA 的设计灵活性非常有利于设计技术协同优化 (DTCO)，1 有助于提高功耗、性能、面积 (PPA) 优势。与5nm工艺相比，第一代3nm工艺相比5nm可降低功耗高达45%，性能提升23%，面积减少16%，而第二代3nm工艺则是为了降低功耗高达 50%，性能提高 30%，面积减少 35%。
三星说
三星表示，3nm工艺流程进展是与Synopsys合作完成的，在技术性能方面，GAA架构晶体管可以提供比FinFET更好的静电特性，并且可以满足一定栅极宽度的需求。例如，在相同尺寸结构下，GAA的通道控制得到加强，从而为进一步尺寸小型化提供了可能。
在这方面的争论中，三星3nm还没有最终量产安装，GAA也不比FinFET多见。毕竟只是三星这边的故事，谁不会说他们的瓜不甜。
时间，既然一直在流，那么从三星3nm量产就开始流，而台积电则定于今年下半年进行3nm的风险试产，2022年进入大规模量产。
然而，作为第一家领先于台积电达到这一里程碑并看似领先先进芯片竞赛的公司，三星的主要初始 3nm 客户是的加密货币矿工，长期订单可见性值得怀疑。
业内人士手机芯片专家报告指出，三星在6月30日宣布开始量产3纳米芯片时，并没有透露3纳米芯片的客户名单，只表示这些芯片最初将是用于“高性能计算应用程序”。
韩国汝矣岛金融区的一位消息人士问道：“客户是谁?” “谁是客户”更是技术实力的证明，尤其是第一个出货对象。
此外，三星不是在其配备最新制造设备的平泽工厂量产 3 纳米芯片，而是在其正在开发制造技术的华城工厂量产，这导致观察人士推测其量产规模是小。
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