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大家好,小金来为大家解答以上的问题。单晶硅双面太阳电池及其制备方法，关于单晶硅双面太阳电池及其制备方法简介这个很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧！
1、 《单晶硅双面太阳电池及其制备方法》是常州天合光能有限公司于2016年5月17日申请的专利，该专利的公布号为CN105826411A，授权公布日为2016年8月3日，发明人是盛赟、陈奕峰、崔艳峰、袁声召、端伟元、王子港。
2、 《单晶硅双面太阳电池及其制备方法》公开了一种单晶硅双面太阳电池，在单晶硅衬底（100）的正面依次形成正面制绒形貌结构（1）、正面PN发射结（2）、正面钝化减反介质层（3）以及正面电极（4），在单晶硅衬底的背面依次形成背面制绒形貌结构（5）、背表面场（6）、背面钝化减反介质层（7）以及背面电极（8），其特征在于：所述背面制绒形貌结构（5）为平台形绒面，各平台结构（5a）分散，或者，平铺，或者，部分分散、部分平铺、部分相连、部分交叠地分布在硅衬底上。同时，该发明还公开了一种单晶硅双面太阳电池的制备方法。该发明可优化双面太阳电池的少数载流子表面复合和光学吸收特性，提高量子转换效率。
3、 2020年7月14日，《单晶硅双面太阳电池及其制备方法》获得第二十一届中国专利奖优秀奖。
4、 （概述图为《单晶硅双面太阳电池及其制备方法》摘要附图）
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