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1、 《半导体结构及其形成方法》是中芯国际集成电路制造（上海）有限公司、中芯国际集成电路制造（北京）有限公司于2019年12月5日申请的专利，该专利公布号为CN112928163A，专利公布日为2021年6月8日，发明人是成国良、张文广、郑春生、张华、甘露。
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