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大家好,小金来为大家解答以上的问题。半导体中的雪崩倍增效应，关于半导体中的雪崩倍增效应简介这个很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧！
1、 半导体中的雪崩倍增效应：半导体中的雪崩倍增效应通常用电离率来描述碰撞电离效应的强弱。
2、它定义为一个载流子通过单位距离平均所产生的电子空穴对的数目。
3、电离率强烈依赖于电场，也是温度的函数（由于温度升高，点阵散射增强，倾向于阻碍对载流子的加热，通常电离率随温度的升高而下降）。
4、电子和空穴一般具有不同的电离率。
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