导读 三星正准备大规模生产其第八代V-NAND内存，具有200层或更多层，并为SSD提供更高的性能和位密度。2013年，三星创造了24层V-NAND闪存，这是一
三星正准备大规模生产其第八代V-NAND内存，具有200层或更多层，并为SSD提供更高的性能和位密度。2013年，三星创造了24层V-NAND闪存，这是一个重大的进步，对公司的竞争对手来说有点未来感。但是，由于创建具有数百层以稳定使用的NAND闪存非常脆弱，该公司现在更加谨慎。不幸的是，美光和SK海力士已经开始开发232层和238层3DTLCNAND设备，这是两家公司迄今为止试图超越三星的一个更显着的优势。今天，三星报告称，他们将制造3DNAND内存，称为V-NAND，将提供236层，BusinessKorea表示。
三星在两年前的2021年最初组装了其即将推出的V-NAND内存的样品设计。但由于行业中没有可用的技术限制，该公司仍无法完全整合和生产3DNAND内存。
为了为日益增长的工作区域、具有PCIeGen5接口的下一代PC以及支持UFS3.1和4.0交互点的手机构建固态存储解决方案，三星需要具有高速接口的NAND设备。目前三星的V7-NAND现在包括高达2.0GT/s的接口速度。
目前，完整的规格尚不清楚，因为该公司尚未完全向公众透露其技术信息。然而，用户应该期待三星的第八代3DNAND(V-NAND)扩大了程序块大小并降低了读取延迟水平，从而推动了优质3DNAND外围设备和计算机组件的显示。
使NAND层更加标称和微小涉及利用全新材料来可靠地存储电荷。此外，由于雕刻多层很复杂(而且在经济上可能不合理)，3DNAND生产商需要采用串堆叠等策略来组装具有多层的3DNAND。三星尚未采用其176层V7-NAND的字符串堆叠。不过，目前尚不清楚三星是否会
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