导读 大家好,笑笑来为大家解答以上的问题。发光二极管芯片的制作方法，关于发光二极管芯片的制作方法介绍这个很多人还不知道,现在让我们一起来看
大家好,笑笑来为大家解答以上的问题。发光二极管芯片的制作方法，关于发光二极管芯片的制作方法介绍这个很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧！
1、 《发光二极管芯片的制作方法》是安徽三安光电有限公司于2014年4月11日申请的专利，该专利申请号：2014101435922，专利公布号：CN103904174A，专利公布日：2014年7月2日，发明人是：蔡家豪、高维洋、孟亚薇、查劲松、古静、王印。
2、 《发光二极管芯片的制作方法》提供一种激光划片、蚀刻和背镀反射层技术制作发光二极管芯片的方法，采用2次激光偏移背划，增加划宽、划深，形成U型缺口；通过蚀刻作业，可以去除激光划片留下的碎屑并使得U型缺口的表面更为平整；U型缺口使得蓝宝石衬底形成局部倾斜的侧面，该侧面加上衬底背面形成高反射层后，可以更大程度地向上反射从发光层发光的光线，提高发光二极管芯片的出光效率。
3、 2021年8月16日，《发光二极管芯片的制作方法》获得安徽第八届专利奖金奖。
4、 （概述图为《发光二极管芯片的制作方法》摘要附图）
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