​英特尔德国晶圆厂将引入High-NA EUV

据德媒heise和Hardwareluxx报道，英特尔公布了位于德国马格德堡的Fab29晶圆厂项目蓝图，以符合德国环保规定。蓝图显示，英特尔在马格德堡购入了相当大的一块土地，目前一期的 Fab29.1 和 Fab29.2 两栋建筑（图中蓝色部分）及配套设施所占位置仅是总面积的约 1/4。这意味英特尔有望未来在德国进一步扩大生产规模。 据报道，Fab29 项目将采用 380 千伏高压供电并包含独立的供电站，英特尔还将建设电池储能系统来代替传统的柴油发电机作为备用电源。Fab29.1 和 Fab29.2 两座厂房高三层，每层高度在 5.7 至 6.5 米之间，加上用于空调和供暖的屋顶结构，建筑物整体高度达到 36.7 米。其中第二层将成为 High-NA EUV 光刻机的落座地，上下两层用于材料物流。Fab29.1 和 Fab29.2 两座厂房整体长 530 米，宽 153 米，占地面积达约 81000 平方米。
根据IT之家以往报道，英特尔CEO帕特・基辛格今年年初表示，马格德堡晶圆厂投产后将具备世界最先进的芯片制造能力，可生产超越Intel 18A制程的尖端芯片。

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