​英特尔继续推进摩尔定律 芯片背面供电 突破互连瓶颈

随着背面供电技术的不断完善和新型的2d通道材料的应用，英特尔目前正在继续推进摩尔定律，到了2030年之前将会实现单个封装内集成10,000亿各晶体管。英特尔的最新技术，powervia的背面供电技术主要用于先进的封装的玻璃基板，这项新的技术在2030年之前将正式投产。在12月9日，英特尔在2023年IEEE国际电子期间会议上还展示了使用背面电源触点，将晶体管缩小到一纳米以及以上范围的关键技术。英特尔表示，这项技术将会在2030年之前得到应用。 英特尔方面表示，目前正在继续推进摩尔定律的研究进展，这包括了背面供电和直接背面触电的3d堆叠CMOS晶体管，背面供电的研究已经突破了扩展的路径，并且在同一块300毫米的晶圆上实现了硅晶体管和氮化镓晶体管，大规模的单片3d集成技术。根据国际数据中心的预计，全球人工智能硬件市场的服务器规模将会从2022年的195亿美元增长到2026年的347亿美元，5年的复合增长率都达到了17.3%。用于运行生成式人工智能服务器市场的规模在整体的人工智能服务器市场占比从2023年的11.9%增长到2026年的31.7%。

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