联发科宣布3纳米天玑旗舰芯片成功流片 明年量产

联发科官方近日宣布联发科第1款采用了台积电3纳米工艺的天玑旗舰芯片。目前研发工作比较顺利已经成功流片，将会在2024年的下半年正式上市，这也将成为联发科史上最强的武器SOC。根据资料显示台积电的三纳米技术，拥有更加强大的性能，在功耗良品率方面三纳米工艺的逻辑密度要比五纳米增长60%，而且在相同功耗下的速度能够提升18%，相同速度下的功耗降低32%。 在2023年的7月份联发科的季度财务报告上台积电方面透露在2023年底开始量产的n33纳米工艺，目前已经完全通过了验证性能和良品率，目前已经达到了预期目标。台积电三纳米工艺的第1代是n3b，这种工艺在技术方面是非常先进而且复杂的。在euv光刻层方面就利用了25个，同时还具备了双重曝光，达到了更高的境地关密度，这是芯片的价格更高。到了第2代之后，euv的光刻层已经减少到了19个，而且还去掉了双重曝光，在价格方面将会有一定的降低，更适合作为主流产品来使用。

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