该公司宣布，SKhynix已开发出具有巨大238层的新型4DNAND闪存，为快速、大容量的新型SSD铺平了道路。这款新内存芯片在圣克拉拉闪存峰会的舞台上亮相，被描述为“全球首款238层512GbTLC4DNAND”，预计将于2023年上半年进入量产阶段。
与之前的176层型号相比，据说新的NAND可提供50%更快的数据传输速度(2.4Gb/秒)、21%的数据读取能效和34%的整体生产力提升。
238层产品的到来将使SK海力士从竞争对手制造商美光手中夺取世界最高NAND堆栈的记录，后者的最新型号只有区区的232层。
NAND闪存是一种非易失性存储器，适用于各种存储设备，从存储卡、USB记忆棒和便携式驱动器到用于服务器和客户端设备的SSD。
NAND闪存发展的总体趋势是降低单位容量成本并提高存储密度，有效地消除了传统硬盘驱动器的最后剩余用例。SK海力士238层产品的到来，标志着这一征程又迈出了一步。
与市场上的其他NAND产品不同，该公司系列中的最新芯片采用“4D”架构，逻辑电路位于存储单元下方。SKhynix表示，这种设计允许“每个单元的单元面积更小，从而提高生产效率”。
SKhynixNAND开发负责人JungdalChoi表示：“SKhynix通过推出基于其4DNAND技术的238层产品，在成本、性能和质量方面确保了全球顶级竞争力。”
或许出乎意料的是，新的238层NAND将首先进入客户端设备，这将使内容创作者和PC游戏玩家兴奋不已。直到后来，新芯片才会出现在智能手机和大容量服务器上。
SK海力士还透露，它正在开发一款1Tb238层的产品，当最新款芯片明年上市时，其存储密度将翻倍。“我们将继续创新，寻找技术挑战的突破口，”Choi补充道。
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